[10532vnt. sandėlyje]
- Dalies numeris:
- CY7C1370D-200BGXC
- Gamintojas:
- Cypress Semiconductor Corp
- Išsamus aprašymas:
- IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - variklių vairuotojai, valdikliai, PMIC - įtampos reguliatoriai - nuolatinės srovės n, PMIC - maitinimo šaltiniai, monitoriai, PMIC - įtampos reguliatoriai - linijiniai reguliat, PMIC - energijos paskirstymo jungikliai, kroviklia, PMIC - energijos matavimas, Sąsaja - balso įrašymas ir atkūrimas and PMIC - visiško, pusiau tilto vairuotojai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY7C1370D-200BGXC electronic components. CY7C1370D-200BGXC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY7C1370D-200BGXC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CY7C1370D-200BGXC Produkto atributai
Dalies numeris :
CY7C1370D-200BGXC
Gamintojas :
Cypress Semiconductor Corp
apibūdinimas :
IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
Serija :
NoBL™
Dalies būsena :
Obsolete
Atminties tipas :
Volatile
Atminties formatas :
SRAM
Technologija :
SRAM - Synchronous
Atminties dydis :
18Mb (512K x 36)
Laikrodžio dažnis :
200MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
-
Prieigos laikas :
3ns
Atminties sąsaja :
Parallel
Įtampa - tiekimas :
3.135V ~ 3.6V
Darbinė temperatūra :
0°C ~ 70°C (TA)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
119-BGA
Tiekėjo įrenginio paketas :
119-PBGA (14x22)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
-
IS43R86400D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
-
IS43R16320D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
-
IS42VM16320E-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 32Mx16 Mobile SDRAM
-
Karštos dalys
- AT49BV802AT-70CI-T
- MT48H16M32L2F5-10
- AT25640AN-10SU-1.8
- AT93C56A-10TU-1.8
- AT49F002A-55PI
- AT45D161-RI
- AT28C010-12JI
- AT28BV64-30TC
- AT28HC256F-12SI
- QMP29GL064A90TFIR20H
- W25Q32FWBYIG TR
- 70V9279L15PRF8
- MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR
- MT49H16M18CFM-33:B TR
- S25FL164K0XMFV001
- IS43LD16640A-3BLI-TR
- IS46TR16128AL-15HBLA2
- IS61LF51218A-7.5TQI-TR
- IS61QDB21M36-250M3
- CY7C1471V33-117AXC
- AT29LV040A-25TC
- AT29C040A-15TI
- M29W128GH7AZS6E
- MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
- MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR
- IDT71V416S15PH8
- 71342SA25J8
- IDT71024S12Y8
- IS42S16400F-6BLI
- CY7C1011DV33-10BVIT
- M25P16-VMN6P
- AT49BV002AN-70VI
- IS41LV16100B-60KL-TR
- CY62167DV18LL-55BVXI
- CY7C1387D-167AXC
- S25FS512SDSNFI011
- W631GG8MB15I
- S25FL064LABNFV011
- S29GL064N11FFIS10
- S29CD016J0MQFM113