GeneSiC Semiconductor - 1N1184

KEY Part #: K6440309

1N1184 Kainodara (USD) [8054vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$4.34530
  • 10 pcs$3.91165
  • 25 pcs$3.56403
  • 100 pcs$3.21640
  • 250 pcs$2.95560
  • 500 pcs$2.69481

Dalies numeris:
1N1184
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 100V 35A DO5. Rectifiers 100V 35A Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1184 electronic components. 1N1184 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1184, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1184 Produkto atributai

Dalies numeris : 1N1184
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 35A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.2V @ 35A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 50V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla : DO-203AB, DO-5, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-5
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 190°C
Galbūt jus taip pat domina
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM