SB007-03C-TB-E Kainodara (USD) [1129485vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.03456
- 3,000 pcs$0.03438
- 6,000 pcs$0.03095
- 15,000 pcs$0.02751
- 30,000 pcs$0.02579
- 75,000 pcs$0.02292
- Dalies numeris:
- SB007-03C-TB-E
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CP. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE 70MA 30V
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - viengubi, Diodai - RF, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor SB007-03C-TB-E electronic components. SB007-03C-TB-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SB007-03C-TB-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SB007-03C-TB-E Produkto atributai
Dalies numeris :
SB007-03C-TB-E
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CP
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
30V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
70mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
550mV @ 70mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
10ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 15V
Talpa @ Vr, F :
3pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
3-CP
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 125°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-15EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 18ns
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
-
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08