UGB8JT-E3/45 Kainodara (USD) [120478vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.30701
- 1,000 pcs$0.27950
- Dalies numeris:
- UGB8JT-E3/45
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JT-E3/45 electronic components. UGB8JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8JT-E3/45 Produkto atributai
Dalies numeris :
UGB8JT-E3/45
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.75V @ 8A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
30µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-263AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 50ns 125 Amp IFSM
-
FESB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB. Rectifiers 300 Volt 8.0A 50ns Single
-
FESB8HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 500 Volt 8.0A 50ns Single
-
FESB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 400 Volt 50ns 125 Amp IFSM
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G