RMPG06BHE3_A/54 Kainodara (USD) [962649vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04055
- 16,500 pcs$0.04034
- Dalies numeris:
- RMPG06BHE3_A/54
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 100V, 150NS, FS, MINIGPPRECT.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - SCR and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06BHE3_A/54 electronic components. RMPG06BHE3_A/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06BHE3_A/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06BHE3_A/54 Produkto atributai
Dalies numeris :
RMPG06BHE3_A/54
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.3V @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
150ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 100V
Talpa @ Vr, F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
MPG06, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
MPG06
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Karštos dalys
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73