Microsemi Corporation - APT75GT120JU2

KEY Part #: K6532583

APT75GT120JU2 Kainodara (USD) [2908vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$14.71441
  • 10 pcs$13.61222
  • 25 pcs$12.50836
  • 100 pcs$11.62540
  • 250 pcs$10.66889

Dalies numeris:
APT75GT120JU2
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
IGBT 1200V 100A 416W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - RF and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GT120JU2 electronic components. APT75GT120JU2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GT120JU2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GT120JU2 Produkto atributai

Dalies numeris : APT75GT120JU2
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : IGBT 1200V 100A 416W SOT227
Serija : -
Dalies būsena : Active
IGBT tipas : Trench Field Stop
Konfigūracija : Single
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 100A
Galia - maks : 416W
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 5mA
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 5.34nF @ 25V
Įvestis : Standard
NTC termistorius : No
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : ISOTOP
Tiekėjo įrenginio paketas : SOT-227

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.