Vishay Siliconix - SIHB12N65E-GE3

KEY Part #: K6402104

SIHB12N65E-GE3 Kainodara (USD) [28168vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.46312
  • 1,000 pcs$0.63146

Dalies numeris:
SIHB12N65E-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - RF, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - TRIAC and Tranzistoriai - IGBT - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3 electronic components. SIHB12N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB12N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB12N65E-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHB12N65E-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 12A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 380 mOhm @ 6A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 70nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1224pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 156W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D²PAK (TO-263)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.