Infineon Technologies - IRG7T150CL12B

KEY Part #: K6533535

[802vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    IRG7T150CL12B
    Gamintojas:
    Infineon Technologies
    Išsamus aprašymas:
    MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Galios tvarkyklės moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Infineon Technologies IRG7T150CL12B electronic components. IRG7T150CL12B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG7T150CL12B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG7T150CL12B Produkto atributai

    Dalies numeris : IRG7T150CL12B
    Gamintojas : Infineon Technologies
    apibūdinimas : MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
    Serija : -
    Dalies būsena : Obsolete
    IGBT tipas : -
    Konfigūracija : Single
    Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
    Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 300A
    Galia - maks : 910W
    Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 150A
    Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 1mA
    Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 20.2nF @ 25V
    Įvestis : Standard
    NTC termistorius : No
    Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Chassis Mount
    Pakuotė / Byla : POWIR® 62 Module
    Tiekėjo įrenginio paketas : POWIR® 62

    Galbūt jus taip pat domina
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-GP250SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

    • VS-GT105NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

    • VS-GT105LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.