RR1LAM6STR Kainodara (USD) [1359915vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.03007
- 3,000 pcs$0.02992
- 6,000 pcs$0.02602
- 15,000 pcs$0.02211
- 30,000 pcs$0.02081
- 75,000 pcs$0.01951
- Dalies numeris:
- RR1LAM6STR
- Gamintojas:
- Rohm Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM. Rectifiers 750V Vr 1A Io Rectifying Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Galios tvarkyklės moduliai and Tiristoriai - TRIAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Rohm Semiconductor RR1LAM6STR electronic components. RR1LAM6STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RR1LAM6STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RR1LAM6STR Produkto atributai
Dalies numeris :
RR1LAM6STR
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.1V @ 1A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SOD-128
Tiekėjo įrenginio paketas :
PMDTM
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-15EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 18ns
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
-
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18