Infineon Technologies - IPZA60R180P7XKSA1

KEY Part #: K6398165

IPZA60R180P7XKSA1 Kainodara (USD) [21498vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.91704

Dalies numeris:
IPZA60R180P7XKSA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET TO247-4.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IPZA60R180P7XKSA1 electronic components. IPZA60R180P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZA60R180P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZA60R180P7XKSA1 Produkto atributai

Dalies numeris : IPZA60R180P7XKSA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET TO247-4
Serija : CoolMOS™ P7
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 18A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 180 mOhm @ 5.6A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 280µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 25nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1081pF @ 400V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 72W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TO247-4
Pakuotė / Byla : TO-247-4

Galbūt jus taip pat domina
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.