GeneSiC Semiconductor - GA03JT12-247

KEY Part #: K6404199

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 electronic components. GA03JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA03JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : GA03JT12-247

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

Serija : -

Dalies būsena : Obsolete

FET tipas : -

Technologija : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 1200V

Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 3A (Tc) (95°C)

Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : -

„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 460 mOhm @ 3A

VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : -

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : -

VG (maks.) : -

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -

FET funkcija : -

Galios išsklaidymas (maks.) : 15W (Tc)

Darbinė temperatūra : 175°C (TJ)

Montavimo tipas : Through Hole

Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247AB

Pakuotė / Byla : TO-247-3

Galbūt jus taip pat domina

AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.
IPA50R380CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.
IPA50R190CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.