Microsemi Corporation - 1N5916A

KEY Part #: K6479732

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - JFET ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5916A electronic components. 1N5916A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5916A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : 1N5916A

Gamintojas : Microsemi Corporation

apibūdinimas : ZENER DIODE

Serija : *

Dalies būsena : Active

Įtampa - „Zener“ (nominali) (Vz) : -

Tolerancija : -

Galia - maks : -

Varža (maksimali) (Zzt) : -

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : -

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : -

Darbinė temperatūra : -

Montavimo tipas : -

Pakuotė / Byla : -

Tiekėjo įrenginio paketas : -

Galbūt jus taip pat domina

BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

Karštos dalys