IXYS - IXTM35N30

KEY Part #: K6400887

[3241vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    IXTM35N30
    Gamintojas:
    IXYS
    Išsamus aprašymas:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - RF, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in IXYS IXTM35N30 electronic components. IXTM35N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM35N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM35N30 Produkto atributai

    Dalies numeris : IXTM35N30
    Gamintojas : IXYS
    apibūdinimas : POWER MOSFET TO-3
    Serija : GigaMOS™
    Dalies būsena : Last Time Buy
    FET tipas : N-Channel
    Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 300V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 35A (Tc)
    Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 100 mOhm @ 17.5A, 10V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 220nC @ 10V
    VG (maks.) : ±20V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 4600pF @ 25V
    FET funkcija : -
    Galios išsklaidymas (maks.) : 300W (Tc)
    Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Through Hole
    Tiekėjo įrenginio paketas : TO-204AE
    Pakuotė / Byla : TO-204AE

    Galbūt jus taip pat domina
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FDD8444-F085P

      ON Semiconductor

      NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

    • FDD4243-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.