Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. CDBJSC101200-G

Comchip Technology - CDBJSC101200-G

KEY Part #: K6430876

CDBJSC101200-G Kainodara (USD) [13054vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.15720
Dalies numeris:
CDBJSC101200-G
Gamintojas:
Comchip Technology
Išsamus aprašymas:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - specialios paskirties and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Comchip Technology CDBJSC101200-G electronic components. CDBJSC101200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJSC101200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC101200-G Produkto atributai

Dalies numeris : CDBJSC101200-G
Gamintojas : Comchip Technology
apibūdinimas : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Silicon Carbide Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 10A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.7V @ 10A
Greitis : No Recovery Time > 500mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 0ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 100µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F : 780pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220-2
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Galbūt jus taip pat domina
  • SR10150-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A

  • SB260-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 60 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM

  • SS10P6HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 7A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,60V,SM SKY RECT.

  • AR4PMHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,1000V, SMPC Fast Rec Avalanche

  • VS-4ESH01HM3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V AEC-Q101

  • AR3PDHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,200V, SMPC Fast Rec Avalanche

Karštos dalys