Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. NXPSC08650BJ

WeEn Semiconductors - NXPSC08650BJ

KEY Part #: K6440481

[3804vnt. sandėlyje]

    Dalies numeris:
    NXPSC08650BJ
    Gamintojas:
    WeEn Semiconductors
    Išsamus aprašymas:
    DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tiristoriai - TRIAC ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in WeEn Semiconductors NXPSC08650BJ electronic components. NXPSC08650BJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NXPSC08650BJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NXPSC08650BJ Produkto atributai

    Dalies numeris : NXPSC08650BJ
    Gamintojas : WeEn Semiconductors
    apibūdinimas : DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
    Serija : -
    Dalies būsena : Discontinued at Digi-Key
    Diodo tipas : Silicon Carbide Schottky
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 650V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 8A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.7V @ 8A
    Greitis : No Recovery Time > 500mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 0ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 230µA @ 650V
    Talpa @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Tiekėjo įrenginio paketas : D2PAK
    Darbinė temperatūra - sankryža : 175°C (Max)
    Galbūt jus taip pat domina
    • VS-80APS08-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • V20100S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • EGP20B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

    • 1N4585GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

    • GP15M-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM

    • 1N5060GP-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated

    Karštos dalys