BYV27-100-TAP Kainodara (USD) [430974vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.08733
- 5,000 pcs$0.08690
- 10,000 pcs$0.08582
- Dalies numeris:
- BYV27-100-TAP
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tiristoriai - TRIAC, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - specialios paskirties and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYV27-100-TAP electronic components. BYV27-100-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV27-100-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYV27-100-TAP Produkto atributai
Dalies numeris :
BYV27-100-TAP
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
2A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.07V @ 3A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 100V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
SOD-57, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-57
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
APT15DQ100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, TO-220, RoHS
-
APT15D120KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1200V, 15A, TO-220, RoHS
-
APT15D100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS
-
1N4448 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL DIODE
-
BAS521,115
Nexperia USA Inc.
DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching 300V 250mA
-
BAS521,135
Nexperia USA Inc.
DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching HI VOLTAGE SWITCHING DIODE 300V 625mA
Karštos dalys
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1