Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR

KEY Part #: K937818

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Kainodara (USD) [18150vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.66822
  • 1,000 pcs$2.65494

Dalies numeris:
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
Gamintojas:
Micron Technology Inc.
Išsamus aprašymas:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, Sąsaja - jutiklio ir detektoriaus sąsajos, Logika - pariteto generatoriai ir šaškės, Atmintis - valdikliai, Linijiniai - Stiprintuvai - Garsas, Linijiniai - stiprintuvai - vaizdo stiprintuvai ir, PMIC - akumuliatorių valdymas and PMIC - ARBA valdikliai, idealūs diodai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR electronic components. MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Produkto atributai

Dalies numeris : MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
Gamintojas : Micron Technology Inc.
apibūdinimas : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Non-Volatile
Atminties formatas : FLASH
Technologija : FLASH - NAND
Atminties dydis : 4Gb (512M x 8)
Laikrodžio dažnis : -
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : -
Prieigos laikas : -
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 2.7V ~ 3.6V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 63-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 63-VFBGA (9x11)

Galbūt jus taip pat domina
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C