Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. W949D2DBJX5E TR

Winbond Electronics - W949D2DBJX5E TR

KEY Part #: K941468

W949D2DBJX5E TR Kainodara (USD) [36941vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.33571
Dalies numeris:
W949D2DBJX5E TR
Gamintojas:
Winbond Electronics
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Duomenų rinkimas - ADC / DAC - specialios paskirti, Laikrodis / laikas - programuojami laikmačiai ir g, Atmintis - valdikliai, Atmintis, Linijiniai - stiprintuvai - instrumentai, OP stipr, Logika - šlepetės, Logika - pamainų registrai and Įterptasis - PLD (programuojamas loginis įrenginys ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Winbond Electronics W949D2DBJX5E TR electronic components. W949D2DBJX5E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D2DBJX5E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D2DBJX5E TR Produkto atributai

Dalies numeris : W949D2DBJX5E TR
Gamintojas : Winbond Electronics
apibūdinimas : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - Mobile LPDDR
Atminties dydis : 512Mb (16M x 32)
Laikrodžio dažnis : 200MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 5ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra : -25°C ~ 85°C (TC)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 90-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 90-VFBGA (8x13)

Naujausios naujienos

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Galbūt jus taip pat domina
  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • 25AA1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 24LC1026T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128K X 8 2.5V SER EE 128 BYTE EXT

  • 25LC1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 24LC1025T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128KX8 2.5V SER EE 128 BYTE PAGE

  • IS25LQ032B-JNLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS

Karštos dalys