Dalies numeris :
2N7639-GA
Gamintojas :
GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas :
TRANS SJT 650V 15A TO-257
Technologija :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
15A (Tc) (155°C)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
-
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
105 mOhm @ 15A
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
-
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1534pF @ 35V
Galios išsklaidymas (maks.) :
172W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-257
Pakuotė / Byla :
TO-257-3