ES1BLHM2G Kainodara (USD) [1305982vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02832
- Dalies numeris:
- ES1BLHM2G
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - lygintuvai - masyvai and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1BLHM2G electronic components. ES1BLHM2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1BLHM2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1BLHM2G Produkto atributai
Dalies numeris :
ES1BLHM2G
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Serija :
Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
950mV @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
35ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 100V
Talpa @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
Sub SMA
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
MSC030SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 30A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 20 A SiC SBD
-
SE20FGHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FJ-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,200V ESD PROTECTION, SMF RECT
Karštos dalys
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18