1N4448HWS-13-F Kainodara (USD) [1590499vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02326
- 10,000 pcs$0.02088
- Dalies numeris:
- 1N4448HWS-13-F
- Gamintojas:
- Diodes Incorporated
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 80 Vrrm 57Vr 250 mA FAST SWITCH DIODE
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - specialios paskirties, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - Zener - masyvai and Tranzistoriai - IGBT - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4448HWS-13-F electronic components. 1N4448HWS-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448HWS-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448HWS-13-F Produkto atributai
Dalies numeris :
1N4448HWS-13-F
Gamintojas :
Diodes Incorporated
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
80V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
250mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 150mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100nA @ 80V
Talpa @ Vr, F :
3.5pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-76, SOD-323
Tiekėjo įrenginio paketas :
-
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
1N914B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
DST5100S
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V TO-277B
-
Karštos dalys
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A