Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3006S-M3

KEY Part #: K6445522

VS-ETH3006S-M3 Kainodara (USD) [48206vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.79021
  • 10 pcs$0.70784
  • 25 pcs$0.66796
  • 100 pcs$0.56908
  • 250 pcs$0.53437
  • 500 pcs$0.46756
  • 1,000 pcs$0.38741
  • 2,500 pcs$0.34119
  • 5,000 pcs$0.33698

Dalies numeris:
VS-ETH3006S-M3
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK. Rectifiers 30A 600V Hyperfast 26ns
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - RF, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH3006S-M3 electronic components. VS-ETH3006S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ETH3006S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3006S-M3 Produkto atributai

Dalies numeris : VS-ETH3006S-M3
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
Serija : FRED Pt®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 30A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 2.65V @ 30A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 26ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 30µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas : D2PAK
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.