Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34GHE3_A/I

KEY Part #: K6457886

EGL34GHE3_A/I Kainodara (USD) [732237vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.05051

Dalies numeris:
EGL34GHE3_A/I
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,400V,50NS AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - RF and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3_A/I electronic components. EGL34GHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34GHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGL34GHE3_A/I Produkto atributai

Dalies numeris : EGL34GHE3_A/I
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Serija : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 400V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 500mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.35V @ 500mA
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 400V
Talpa @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-213AA (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-213AA (GL34)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns