Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41Y-E3/96

KEY Part #: K6458044

GL41Y-E3/96 Kainodara (USD) [826014vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04725
  • 1,500 pcs$0.04702
  • 3,000 pcs$0.04310
  • 7,500 pcs$0.04049
  • 10,500 pcs$0.03788
  • 37,500 pcs$0.03483

Dalies numeris:
GL41Y-E3/96
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Diodai - Zener - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41Y-E3/96 electronic components. GL41Y-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41Y-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41Y-E3/96 Produkto atributai

Dalies numeris : GL41Y-E3/96
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Serija : SUPERECTIFIER®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.2V @ 1A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 1600V
Talpa @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-213AB, MELF (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-213AB
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM