Dalies numeris :
RN2961(TE85L,F)
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Tranzistoriaus tipas :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) :
100mA
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) :
50V
Rezistorius - bazė (R1) :
4.7 kOhms
Rezistorius - emiterio bazė (R2) :
4.7 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce sodrumas (maks.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) :
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas :
200MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginio paketas :
US6