Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. IS43DR86400C-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-3DBLI

KEY Part #: K936705

IS43DR86400C-3DBLI Kainodara (USD) [14836vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.69537
  • 242 pcs$3.67698
Dalies numeris:
IS43DR86400C-3DBLI
Gamintojas:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Laikrodis / laikas - delsimo eilutės, Duomenų rinkimas - ADC / DAC - specialios paskirti, PMIC - įtampos reguliatoriai - nuolatinės srovės n, Logika - šlepetės, PMIC - akumuliatorių įkrovikliai, Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, Duomenų rinkimas - skaitmeniniai potenciometrai and Sąsaja - analoginiai jungikliai, multiplekseriai, ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI electronic components. IS43DR86400C-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-3DBLI Produkto atributai

Dalies numeris : IS43DR86400C-3DBLI
Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR2
Atminties dydis : 512Mb (64M x 8)
Laikrodžio dažnis : 333MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 450ps
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.9V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 60-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 60-TWBGA (8x10.5)

Naujausios naujienos

Silicom MinnowBoard Turbot
Galbūt jus taip pat domina
  • MR25H10CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR25H10CDF

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8DIP.

  • AT28HC256-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC.

  • IS61LPS12836A-200TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v

Karštos dalys