Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. R9G01812XX

Powerex Inc. - R9G01812XX

KEY Part #: K6429499

R9G01812XX Kainodara (USD) [477vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$97.33320
  • 30 pcs$94.88648
Dalies numeris:
R9G01812XX
Gamintojas:
Powerex Inc.
Išsamus aprašymas:
DIODE GP 1.8KV 1200A DO200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Diodai - Zener - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Powerex Inc. R9G01812XX electronic components. R9G01812XX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R9G01812XX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R9G01812XX Produkto atributai

Dalies numeris : R9G01812XX
Gamintojas : Powerex Inc.
apibūdinimas : DIODE GP 1.8KV 1200A DO200AB
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1200A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.45V @ 1500A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 25µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 150mA @ 1800V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : DO-200AB, B-PUK
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-200AB, B-PUK
Darbinė temperatūra - sankryža : -
Galbūt jus taip pat domina
  • SS1FN6-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect

  • SS1FN6HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

  • SB2H100-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM

  • AU2PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,200V,FER, Avalanche SM

  • AR4PK-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,800V,Fast RecoveryAvalanche SM

  • VS-6ESH01-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V

Karštos dalys