LL4154-GS08 Kainodara (USD) [4676071vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.00835
- 12,500 pcs$0.00831
- Dalies numeris:
- LL4154-GS08
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 35V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 300mA 2.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4154-GS08 electronic components. LL4154-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4154-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4154-GS08 Produkto atributai
Dalies numeris :
LL4154-GS08
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 35V 300MA SOD80
Serija :
Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
35V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
300mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1V @ 30mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100nA @ 25V
Talpa @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-80 MiniMELF
Darbinė temperatūra - sankryža :
175°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A