RBE1VAM20ATR Kainodara (USD) [1438790vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.03100
- 3,000 pcs$0.03085
- Dalies numeris:
- RBE1VAM20ATR
- Gamintojas:
- Rohm Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2M. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diodes
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Rohm Semiconductor RBE1VAM20ATR electronic components. RBE1VAM20ATR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBE1VAM20ATR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RBE1VAM20ATR Produkto atributai
Dalies numeris :
RBE1VAM20ATR
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2M
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
20V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
530mV @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
200µA @ 20V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
2-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginio paketas :
TUMD2M
Darbinė temperatūra - sankryža :
125°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Karštos dalys
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G