Microsemi Corporation - APT8020B2LLG

KEY Part #: K6396186

APT8020B2LLG Kainodara (USD) [3310vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$16.93361

Dalies numeris:
APT8020B2LLG
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - specialios paskirties and Tiristoriai - SCR ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APT8020B2LLG electronic components. APT8020B2LLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT8020B2LLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT8020B2LLG Produkto atributai

Dalies numeris : APT8020B2LLG
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
Serija : POWER MOS 7®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 800V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 38A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 200 mOhm @ 19A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 2.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 195nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 5200pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 694W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : T-MAX™ [B2]
Pakuotė / Byla : TO-247-3 Variant