Microsemi Corporation - JANTX1N6677UR-1

KEY Part #: K6442519

[3105vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    JANTX1N6677UR-1
    Gamintojas:
    Microsemi Corporation
    Išsamus aprašymas:
    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - SCR and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6677UR-1 electronic components. JANTX1N6677UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6677UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTX1N6677UR-1 Produkto atributai

    Dalies numeris : JANTX1N6677UR-1
    Gamintojas : Microsemi Corporation
    apibūdinimas : DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA
    Serija : Military, MIL-PRF-19500/610
    Dalies būsena : Active
    Diodo tipas : Schottky
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 40V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 200mA
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 500mV @ 200mA
    Greitis : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Atbulinės eigos laikas (trr) : -
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 40V
    Talpa @ Vr, F : -
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : DO-213AA (Glass)
    Tiekėjo įrenginio paketas : DO-213AA
    Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 125°C

    Galbūt jus taip pat domina
    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • GP2D010A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

    • GP2D006A065C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

    • GP2D005A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.