IS62WV51216EALL-55BLI-TR Kainodara (USD) [19114vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$2.39737
- 2,500 pcs$2.23431
- Dalies numeris:
- IS62WV51216EALL-55BLI-TR
- Gamintojas:
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Išsamus aprašymas:
- IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA. SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - kintamosios srovės nuolatinės srovės keitik, PMIC - įtampos reguliatoriai - specialios paskirti, PMIC - lazeriniai vairuotojai, PMIC - energijos paskirstymo jungikliai, kroviklia, Įterptieji - Mikrovaldikliai - Konkreti programa, Laikrodis / laikas - IC baterijos, Linijiniai - Stiprintuvai - Garsas and Laikrodis / laikas - programuojami laikmačiai ir g ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI-TR electronic components. IS62WV51216EALL-55BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS62WV51216EALL-55BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IS62WV51216EALL-55BLI-TR Produkto atributai
Dalies numeris :
IS62WV51216EALL-55BLI-TR
Gamintojas :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas :
IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Atminties tipas :
Volatile
Atminties formatas :
SRAM
Technologija :
SRAM - Asynchronous
Atminties dydis :
8Mb (512K x 16)
Laikrodžio dažnis :
-
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
55ns
Prieigos laikas :
55ns
Atminties sąsaja :
Parallel
Įtampa - tiekimas :
1.65V ~ 2.2V
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
48-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas :
48-VFBGA (6x8)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
-
-
-
Karštos dalys
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR