IXYS-RF - IXFT6N100F

KEY Part #: K6398166

IXFT6N100F Kainodara (USD) [9323vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$6.01115
  • 10 pcs$5.41003
  • 100 pcs$4.44825
  • 500 pcs$3.72691

Dalies numeris:
IXFT6N100F
Gamintojas:
IXYS-RF
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - SCR, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in IXYS-RF IXFT6N100F electronic components. IXFT6N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT6N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT6N100F Produkto atributai

Dalies numeris : IXFT6N100F
Gamintojas : IXYS-RF
apibūdinimas : MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Serija : HiPerRF™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 1000V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5.5V @ 2.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 54nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1770pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 180W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-268 (IXFT)
Pakuotė / Byla : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Galbūt jus taip pat domina
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.