Dalies numeris :
EMF17T2R
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Dalies būsena :
Not For New Designs
Tranzistoriaus tipas :
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) :
100mA, 150mA
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) :
50V
Rezistorius - bazė (R1) :
2.2 kOhms
Rezistorius - emiterio bazė (R2) :
2.2 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce sodrumas (maks.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) :
500nA
Dažnis - perėjimas :
250MHz, 140MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginio paketas :
EMT6