Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. 1N1206A

GeneSiC Semiconductor - 1N1206A

KEY Part #: K6425119

1N1206A Kainodara (USD) [22785vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.17612
  • 200 pcs$2.16529
Dalies numeris:
1N1206A
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4. Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Diodai - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1206A electronic components. 1N1206A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1206A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1206A Produkto atributai

Dalies numeris : 1N1206A
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 12A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 12A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 50V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla : DO-203AA, DO-4, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-4
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 200°C
Galbūt jus taip pat domina
  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • LXA04B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 4A Low Qrr

  • NSR0530HT1G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 0.5 A 30 V SOD-323 S

Karštos dalys