Dalies numeris :
DTD743ZMT2L
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Dalies būsena :
Not For New Designs
Tranzistoriaus tipas :
NPN - Pre-Biased
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) :
200mA
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) :
30V
Rezistorius - bazė (R1) :
4.7 kOhms
Rezistorius - emiterio bazė (R2) :
47 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
140 @ 100mA, 2V
Vce sodrumas (maks.) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) :
500nA
Dažnis - perėjimas :
260MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
VMT3