Infineon Technologies - AUIRF7313Q

KEY Part #: K6523865

[4022vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    AUIRF7313Q
    Gamintojas:
    Infineon Technologies
    Išsamus aprašymas:
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Galios tvarkyklės moduliai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Infineon Technologies AUIRF7313Q electronic components. AUIRF7313Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7313Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AUIRF7313Q Produkto atributai

    Dalies numeris : AUIRF7313Q
    Gamintojas : Infineon Technologies
    apibūdinimas : MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
    Serija : HEXFET®
    Dalies būsena : Obsolete
    FET tipas : 2 N-Channel (Dual)
    FET funkcija : Logic Level Gate
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 6.9A
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 29 mOhm @ 6.9A, 10V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 33nC @ 10V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 755pF @ 25V
    Galia - maks : 2.4W
    Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Tiekėjo įrenginio paketas : 8-SO