Littelfuse Inc. - MG12150S-BN2MM

KEY Part #: K6532492

MG12150S-BN2MM Kainodara (USD) [1032vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$45.01152
  • 10 pcs$39.32027
  • 25 pcs$37.48542
  • 100 pcs$35.38824

Dalies numeris:
MG12150S-BN2MM
Gamintojas:
Littelfuse Inc.
Išsamus aprašymas:
IGBT 1200V 200A 625W PKG S.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - Zener - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Littelfuse Inc. MG12150S-BN2MM electronic components. MG12150S-BN2MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG12150S-BN2MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG12150S-BN2MM Produkto atributai

Dalies numeris : MG12150S-BN2MM
Gamintojas : Littelfuse Inc.
apibūdinimas : IGBT 1200V 200A 625W PKG S
Serija : -
Dalies būsena : Active
IGBT tipas : Trench Field Stop
Konfigūracija : Half Bridge
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 200A
Galia - maks : 625W
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 150A (Typ)
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 1mA
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 10.5nF @ 25V
Įvestis : Standard
NTC termistorius : No
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 125°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : S-3 Module
Tiekėjo įrenginio paketas : S3

Galbūt jus taip pat domina
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.