Microsemi Corporation - APTGT50X60T3G

KEY Part #: K6532540

APTGT50X60T3G Kainodara (USD) [1678vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$26.77411
  • 10 pcs$25.20120
  • 25 pcs$23.62589
  • 100 pcs$22.52338

Dalies numeris:
APTGT50X60T3G
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - SCR, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50X60T3G electronic components. APTGT50X60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50X60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50X60T3G Produkto atributai

Dalies numeris : APTGT50X60T3G
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3
Serija : -
Dalies būsena : Active
IGBT tipas : Trench Field Stop
Konfigūracija : Three Phase Inverter
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 600V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 80A
Galia - maks : 176W
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 250µA
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Įvestis : Standard
NTC termistorius : Yes
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : SP3
Tiekėjo įrenginio paketas : SP3

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.