Infineon Technologies - DF200R12W1H3B27BOMA1

KEY Part #: K6534604

DF200R12W1H3B27BOMA1 Kainodara (USD) [1809vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$23.94315

Dalies numeris:
DF200R12W1H3B27BOMA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1 electronic components. DF200R12W1H3B27BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12W1H3B27BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12W1H3B27BOMA1 Produkto atributai

Dalies numeris : DF200R12W1H3B27BOMA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serija : -
Dalies būsena : Active
IGBT tipas : -
Konfigūracija : 2 Independent
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 30A
Galia - maks : 375W
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 1.3V @ 15V, 30A
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 1mA
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
Įvestis : Standard
NTC termistorius : Yes
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : Module
Tiekėjo įrenginio paketas : Module

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.