Dalies numeris :
TC58BYG0S3HBAI4
Gamintojas :
Toshiba Memory America, Inc.
apibūdinimas :
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Atminties tipas :
Non-Volatile
Atminties formatas :
FLASH
Technologija :
FLASH - NAND (SLC)
Atminties dydis :
1Gb (128M x 8)
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
25ns
Įtampa - tiekimas :
1.7V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
63-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas :
63-TFBGA (9x11)