UHB10FT-E3/8W Kainodara (USD) [116617vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.31717
- 800 pcs$0.29706
- Dalies numeris:
- UHB10FT-E3/8W
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UHB10FT-E3/8W electronic components. UHB10FT-E3/8W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UHB10FT-E3/8W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UHB10FT-E3/8W Produkto atributai
Dalies numeris :
UHB10FT-E3/8W
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
300V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
10A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.2V @ 10A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
35ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 300V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
D2PAK
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08