Vishay Siliconix - SIHB24N65ET1-GE3

KEY Part #: K6417113

SIHB24N65ET1-GE3 Kainodara (USD) [25088vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.64271

Dalies numeris:
SIHB24N65ET1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tiristoriai - SCR, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB24N65ET1-GE3 electronic components. SIHB24N65ET1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB24N65ET1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB24N65ET1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHB24N65ET1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Serija : E
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 24A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 145 mOhm @ 12A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 122nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2740pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 250W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-263 (D²Pak)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB