JAN1N3768R Kainodara (USD) [1431vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$30.24450
- Dalies numeris:
- JAN1N3768R
- Gamintojas:
- Microsemi Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N3768R electronic components. JAN1N3768R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N3768R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N3768R Produkto atributai
Dalies numeris :
JAN1N3768R
Gamintojas :
Microsemi Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
Serija :
Military, MIL-PRF-19500/297
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard, Reverse Polarity
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1000V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
35A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.4V @ 110A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 1000V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla :
DO-203AB, DO-5, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-5
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
Karštos dalys
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T