Vishay Siliconix - SQP100N04-3M6_GE3

KEY Part #: K6418754

SQP100N04-3M6_GE3 Kainodara (USD) [75908vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.51510

Dalies numeris:
SQP100N04-3M6_GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - JFET, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SQP100N04-3M6_GE3 electronic components. SQP100N04-3M6_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQP100N04-3M6_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQP100N04-3M6_GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SQP100N04-3M6_GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Serija : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 40V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 100A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 3.6 mOhm @ 30A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 135nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 120W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AB
Pakuotė / Byla : TO-220-3

Galbūt jus taip pat domina