Dalies numeris :
IPD65R650CEATMA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
10.1A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
3.5V @ 0.21mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
23nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
440pF @ 100V
FET funkcija :
Super Junction
Galios išsklaidymas (maks.) :
86W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PG-TO252-3
Pakuotė / Byla :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63