Infineon Technologies - IRF7201TRPBF

KEY Part #: K6407533

IRF7201TRPBF Kainodara (USD) [299382vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.12355
  • 4,000 pcs$0.10598

Dalies numeris:
IRF7201TRPBF
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IRF7201TRPBF electronic components. IRF7201TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7201TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7201TRPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRF7201TRPBF
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 7.3A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 30 mOhm @ 7.3A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 28nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 550pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 2.5W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : 8-SO
Pakuotė / Byla : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR3705ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.