Infineon Technologies - IRFS3207ZTRRPBF

KEY Part #: K6402942

IRFS3207ZTRRPBF Kainodara (USD) [54367vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.71919
  • 800 pcs$0.69042

Dalies numeris:
IRFS3207ZTRRPBF
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IRFS3207ZTRRPBF electronic components. IRFS3207ZTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3207ZTRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3207ZTRRPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRFS3207ZTRRPBF
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 75V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 120A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 4.1 mOhm @ 75A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 170nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 6920pF @ 50V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 300W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D²PAK (TO-263)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB