GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

Išsamus aprašymas:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR electronic components. MBR20035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : MBR20035CTR

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Serija : -

Dalies būsena : Active

Diodo konfigūracija : 1 Pair Common Anode

Diodo tipas : Schottky

Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 35V

Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) (vienam diodui) : 200A (DC)

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 650mV @ 100A

Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Atbulinės eigos laikas (trr) : -

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5mA @ 20V

Darbinė temperatūra - sankryža : -

Montavimo tipas : Chassis Mount

Pakuotė / Byla : Twin Tower

Tiekėjo įrenginio paketas : Twin Tower

Galbūt jus taip pat domina

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Karštos dalys