Vishay Siliconix - IRF630STRLPBF

KEY Part #: K6392967

IRF630STRLPBF Kainodara (USD) [93019vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.42035
  • 800 pcs$0.39748

Dalies numeris:
IRF630STRLPBF
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix IRF630STRLPBF electronic components. IRF630STRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF630STRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF630STRLPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRF630STRLPBF
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 200V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 9A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 400 mOhm @ 5.4A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 43nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 800pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 3W (Ta), 74W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D²PAK (TO-263)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina